ترانزستور نانوي قد يحدث ثورة
طور الباحثون نوعًا جديدًا من الترانزستورات Transistors ويرون أنه قد "يغير عالم الإلكترونيات" في غضون العقدين المقبلين.
السبت ١٧ أغسطس ٢٠٢٤
طور الباحثون نوعًا جديدًا من الترانزستورات Transistors ويرون أنه قد "يغير عالم الإلكترونيات" في غضون العقدين المقبلين. صُنِع الترانزستور الجديد باستخدام مادة رقيقة للغاية جرى إنشاؤها من طبقات تراكمية ومتوازية من مادة نيتريد البورون، مركب كيميائي من البورون والنتروجين. ويفيد الباحثون أن هذه المادة تملك القدرة على التحول من الشحنات الكهربائية الموجبة إلى السالبة، والعكس بالعكس، في ما لا يتجاوز نانو ثانية، أي جزء من المليار من الثانية، وتتحمل أكثر من 100 مليار دورة دون التآكل. وبالتالي، إن تلك الخصائص تجعلها مثالية للأجهزة الإلكترونية العالية السرعة الموفرة للطاقة، وكذلك لأدوات تخزين الذاكرة الرقمية. نظرًا لأن نيتريد البورون رقيق للغاية، فإن الترانزستورات المصنوعة من هذه المادة سيكون لها متطلبات طاقة منخفضة بشكل ملحوظ. في بيان تفصيلي، أورد الباحثون أن خصائص المادة التي صُنِع منها هذا الترانزستور المبتكر "تلبي بالفعل معايير الصناعة أو تتجاوزها" مقارنة بالمواد المستخدمة في تلك الصناعة حاضراً. ونشروا نتائجهم أخيراً في مجلة "ساينس".
